IRFHM3911TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFHM3911TRPBF | IRFHM3911TRPBF Inventory, Best Pricing

IRFHM3911TRPBF

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IRFHM3911TRPBF
LIXINC Part #	IRFHM3911TRPBF
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IRFHM3911TRPBF PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IRFHM3911TRPBF Specificaties

Onderdeel nummer:	IRFHM3911TRPBF
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	100 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	3.2A (Ta), 20A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	115mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 35µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	26 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	760 pF @ 50 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	2.8W (Ta), 29W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	8-PQFN (3x3)
pakket / koffer:	8-PowerTDFN