FQNL2N50BTA | Rochester Electronics FQNL2N50BTA | FQNL2N50BTA Inventory, Best Pricing

FQNL2N50BTA

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	FQNL2N50BTA
LIXINC Part #	FQNL2N50BTA
Fabrikant	Rochester Electronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	FQNL2N50BTA PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 19 - Sep 23 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

FQNL2N50BTA Specificaties

Onderdeel nummer:	FQNL2N50BTA
Merk:	Rochester Electronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Rochester Electronics
serie:	QFET®
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	500 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	350mA (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	5.3Ohm @ 175mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	8 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	230 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	1.5W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	TO-92-3
pakket / koffer:	TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)