BSB044N08NN3GXUMA1 | IR (Infineon Technologies) BSB044N08NN3GXUMA1 | BSB044N08NN3GXUMA1 Inventory, Best Pricing

BSB044N08NN3GXUMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	BSB044N08NN3GXUMA1
LIXINC Part #	BSB044N08NN3GXUMA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	BSB044N08NN3GXUMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

BSB044N08NN3GXUMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	BSB044N08NN3GXUMA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	80 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	18A (Ta), 90A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	4.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 97µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	73 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	5700 pF @ 40 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	2.2W (Ta), 78W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	MG-WDSON-2, CanPAK M™
pakket / koffer:	3-WDSON