BSZ105N04NSGATMA1 | Rochester Electronics BSZ105N04NSGATMA1 | BSZ105N04NSGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ105N04NSGATMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	BSZ105N04NSGATMA1
LIXINC Part #	BSZ105N04NSGATMA1
Fabrikant	Rochester Electronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	OPTLMOS POWER-MOSFET
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	BSZ105N04NSGATMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 08 - Oct 12 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

BSZ105N04NSGATMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	BSZ105N04NSGATMA1
Merk:	Rochester Electronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Rochester Electronics
serie:	OptiMOS™
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	40 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	11A (Ta), 40A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	10.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 14µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	17 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	1.3 pF @ 20 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	2.1W (Ta), 35W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PG-TSDSON-8
pakket / koffer:	8-PowerTDFN