SQJ412EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQJ412EP-T1_GE3 | SQJ412EP-T1

SQJ412EP-T1_GE3

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	SQJ412EP-T1_GE3
LIXINC Part #	SQJ412EP-T1_GE3
Fabrikant	Vishay / Siliconix
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	SQJ412EP-T1_GE3 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 25 - Sep 29 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

SQJ412EP-T1_GE3 Specificaties

Onderdeel nummer:	SQJ412EP-T1_GE3
Merk:	Vishay / Siliconix
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Vishay / Siliconix
serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	40 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	32A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	4.1mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	120 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	5950 pF @ 20 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	83W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PowerPAK® SO-8
pakket / koffer:	PowerPAK® SO-8