MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR | Micron Technology MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Inventory, Best Pricing

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
LIXINC Part #	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Fabrikant	Micron Technology
Categorie	geïntegreerde schakelingen › geheugen
Beschrijving	IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 28 - Nov 01 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Specificaties

Onderdeel nummer:	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Merk:	Micron Technology
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	geïntegreerde schakelingen
Subcategorie:	geheugen
Fabrikant:	Micron Technology
serie:	-
pakket:	Tape & Reel (TR)
onderdeel staat:	Active
soort geheugen:	Non-Volatile
geheugen formaat:	FLASH
technologie:	FLASH - NAND
geheugen grootte:	512Gb (64G x 8)
geheugen interface:	Parallel
klok frequentie:	333 MHz
schrijf cyclustijd - woord, pagina:	-
toegangstijd:	-
spanning - voeding:	2.5V ~ 3.6V
bedrijfstemperatuur:	0°C ~ 70°C (TA)
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	132-VBGA
apparaatpakket leverancier:	132-VBGA (12x18)