FGD3N60UNDF | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGD3N60UNDF

FGD3N60UNDF

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	FGD3N60UNDF
LIXINC Part #	FGD3N60UNDF
Fabrikant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - igbts - enkel
Beschrijving	IGBT 600V 6A 60W DPAK
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	FGD3N60UNDF PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 11 - Sep 15 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

FGD3N60UNDF Specificaties

Onderdeel nummer:	FGD3N60UNDF
Merk:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - igbts - enkel
Fabrikant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
igbt-type:	NPT
spanning - collector emitter doorslag (max):	600 V
stroom - collector (ic) (max):	6 A
stroom - collector gepulseerd (icm):	9 A
vce(aan) (max) @ vge, ic:	2.52V @ 15V, 3A
vermogen - max:	60 W
schakelende energie:	52µJ (on), 30µJ (off)
invoertype:	Standard
poort lading:	1.6 nC
td (aan/uit) @ 25°c:	5.5ns/22ns
test conditie:	400V, 3A, 10Ohm, 15V
omgekeerde hersteltijd (trr):	21 ns
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
apparaatpakket leverancier:	TO-252, (D-Pak)