DF1000R17IE4DB2BOSA1 | IR (Infineon Technologies) DF1000R17IE4DB2BOSA1 | DF1000R17IE4DB2BOSA1 Inventory, Best Pricing

DF1000R17IE4DB2BOSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	DF1000R17IE4DB2BOSA1
LIXINC Part #	DF1000R17IE4DB2BOSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - igbts - modules
Beschrijving	IGBT MODULE 1700V 6250W
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	DF1000R17IE4DB2BOSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 07 - Oct 11 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

DF1000R17IE4DB2BOSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	DF1000R17IE4DB2BOSA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - igbts - modules
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Active
igbt-type:	-
configuratie:	Single
spanning - collector emitter doorslag (max):	1700 V
stroom - collector (ic) (max):	-
vermogen - max:	6250 W
vce(aan) (max) @ vge, ic:	2.45V @ 15V, 1000A
stroom - collectoruitschakeling (max):	5 mA
ingangscapaciteit (cies) @ vce:	81 nF @ 25 V
invoer:	Standard
ntc-thermistor:	Yes
bedrijfstemperatuur:	-40°C ~ 150°C
Montage type:	Chassis Mount
pakket / koffer:	Module
apparaatpakket leverancier:	Module