A1P50S65M2-F | STMicroelectronics A1P50S65M2-F | A1P50S65M2-F Inventory, Best Pricing

A1P50S65M2-F

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	A1P50S65M2-F
LIXINC Part #	A1P50S65M2-F
Fabrikant	STMicroelectronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - igbts - modules
Beschrijving	IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	A1P50S65M2-F PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 07 - Oct 11 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

A1P50S65M2-F Specificaties

Onderdeel nummer:	A1P50S65M2-F
Merk:	STMicroelectronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - igbts - modules
Fabrikant:	STMicroelectronics
serie:	-
pakket:	Tray
onderdeel staat:	Active
igbt-type:	Trench Field Stop
configuratie:	Three Phase Inverter
spanning - collector emitter doorslag (max):	650 V
stroom - collector (ic) (max):	50 A
vermogen - max:	208 W
vce(aan) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 50A
stroom - collectoruitschakeling (max):	100 µA
ingangscapaciteit (cies) @ vce:	4.15 nF @ 25 V
invoer:	Standard
ntc-thermistor:	Yes
bedrijfstemperatuur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Chassis Mount
pakket / koffer:	Module
apparaatpakket leverancier:	ACEPACK™ 1