VS-ETF150Y65N | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-ETF150Y65N

VS-ETF150Y65N

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	VS-ETF150Y65N
LIXINC Part #	VS-ETF150Y65N
Fabrikant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - igbts - modules
Beschrijving	IGBT MOD 650V 201A 600W
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	VS-ETF150Y65N PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 07 - Oct 11 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

VS-ETF150Y65N Specificaties

Onderdeel nummer:	VS-ETF150Y65N
Merk:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - igbts - modules
Fabrikant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	FRED Pt®
pakket:	Box
onderdeel staat:	Obsolete
igbt-type:	NPT
configuratie:	Half Bridge Inverter
spanning - collector emitter doorslag (max):	650 V
stroom - collector (ic) (max):	201 A
vermogen - max:	600 W
vce(aan) (max) @ vge, ic:	2.17V @ 15V, 150A
stroom - collectoruitschakeling (max):	-
ingangscapaciteit (cies) @ vce:	-
invoer:	Standard
ntc-thermistor:	Yes
bedrijfstemperatuur:	175°C (TJ)
Montage type:	-
pakket / koffer:	Module
apparaatpakket leverancier:	Module