NXH35C120L2C2S1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NXH35C120L2C2S1G

NXH35C120L2C2S1G

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	NXH35C120L2C2S1G
LIXINC Part #	NXH35C120L2C2S1G
Fabrikant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - igbts - modules
Beschrijving	IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	NXH35C120L2C2S1G PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 08 - Oct 12 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

NXH35C120L2C2S1G Specificaties

Onderdeel nummer:	NXH35C120L2C2S1G
Merk:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - igbts - modules
Fabrikant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
igbt-type:	-
configuratie:	Three Phase Inverter with Brake
spanning - collector emitter doorslag (max):	1200 V
stroom - collector (ic) (max):	35 A
vermogen - max:	20 mW
vce(aan) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 35A
stroom - collectoruitschakeling (max):	250 µA
ingangscapaciteit (cies) @ vce:	8.33 nF @ 20 V
invoer:	Three Phase Bridge Rectifier
ntc-thermistor:	Yes
bedrijfstemperatuur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
pakket / koffer:	26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
apparaatpakket leverancier:	26-DIP