F3L11MR12W2M1B65BOMA1 | IR (Infineon Technologies) F3L11MR12W2M1B65BOMA1 | F3L11MR12W2M1B65BOMA1 Inventory, Best Pricing

F3L11MR12W2M1B65BOMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	F3L11MR12W2M1B65BOMA1
LIXINC Part #	F3L11MR12W2M1B65BOMA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - igbts - modules
Beschrijving	LOW POWER EASY
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	F3L11MR12W2M1B65BOMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 07 - Oct 11 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

F3L11MR12W2M1B65BOMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	F3L11MR12W2M1B65BOMA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - igbts - modules
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
pakket:	Tray
onderdeel staat:	Active
igbt-type:	Trench
configuratie:	Three Level Inverter
spanning - collector emitter doorslag (max):	1200 V
stroom - collector (ic) (max):	100 A
vermogen - max:	0.2 W
vce(aan) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 100A
stroom - collectoruitschakeling (max):	40 µA
ingangscapaciteit (cies) @ vce:	7.36 nF @ 800 V
invoer:	Standard
ntc-thermistor:	Yes
bedrijfstemperatuur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Chassis Mount
pakket / koffer:	Module
apparaatpakket leverancier:	AG-EASY2BM-2