VS-GT100DA120UF | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-GT100DA120UF

VS-GT100DA120UF

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	VS-GT100DA120UF
LIXINC Part #	VS-GT100DA120UF
Fabrikant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - igbts - modules
Beschrijving	IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	VS-GT100DA120UF PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 07 - Oct 11 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

VS-GT100DA120UF Specificaties

Onderdeel nummer:	VS-GT100DA120UF
Merk:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - igbts - modules
Fabrikant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	HEXFRED®
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Active
igbt-type:	Trench
configuratie:	Single
spanning - collector emitter doorslag (max):	1200 V
stroom - collector (ic) (max):	187 A
vermogen - max:	890 W
vce(aan) (max) @ vge, ic:	2.55V @ 15V, 100A
stroom - collectoruitschakeling (max):	100 µA
ingangscapaciteit (cies) @ vce:	6.15 nF @ 25 V
invoer:	Standard
ntc-thermistor:	No
bedrijfstemperatuur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Chassis Mount
pakket / koffer:	SOT-227-4, miniBLOC
apparaatpakket leverancier:	SOT-227