FZ1200R17HP4B2BOSA2 | IR (Infineon Technologies) FZ1200R17HP4B2BOSA2 | FZ1200R17HP4B2BOSA2 Inventory, Best Pricing

FZ1200R17HP4B2BOSA2

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	FZ1200R17HP4B2BOSA2
LIXINC Part #	FZ1200R17HP4B2BOSA2
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - igbts - modules
Beschrijving	IGBT MOD 1700V 1200A 7800W
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	FZ1200R17HP4B2BOSA2 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Jul 08 - Jul 12 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

FZ1200R17HP4B2BOSA2 Specificaties

Onderdeel nummer:	FZ1200R17HP4B2BOSA2
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - igbts - modules
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
pakket:	Tray
onderdeel staat:	Active
igbt-type:	Trench Field Stop
configuratie:	Half Bridge
spanning - collector emitter doorslag (max):	1700 V
stroom - collector (ic) (max):	1200 A
vermogen - max:	7800 W
vce(aan) (max) @ vge, ic:	2.25V @ 15V, 1200A
stroom - collectoruitschakeling (max):	5 mA
ingangscapaciteit (cies) @ vce:	97 nF @ 25 V
invoer:	Standard
ntc-thermistor:	No
bedrijfstemperatuur:	-40°C ~ 150°C
Montage type:	Chassis Mount
pakket / koffer:	Module
apparaatpakket leverancier:	Module