SI3812DV-T1-E3 | Vishay / Siliconix SI3812DV-T1-E3 | SI3812DV-T1-E3 Inventory, Best Pricing

SI3812DV-T1-E3

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	SI3812DV-T1-E3
LIXINC Part #	SI3812DV-T1-E3
Fabrikant	Vishay / Siliconix
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	SI3812DV-T1-E3 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 10 - Oct 14 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

SI3812DV-T1-E3 Specificaties

Onderdeel nummer:	SI3812DV-T1-E3
Merk:	Vishay / Siliconix
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Vishay / Siliconix
serie:	LITTLE FOOT®
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	20 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	2A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	2.5V, 4.5V
rds op (max) @ id, vgs:	125mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	600mV @ 250µA (Min)
poortlading (qg) (max) @ vgs:	4 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	-
fet-functie:	Schottky Diode (Isolated)
vermogensdissipatie (max):	830mW (Ta)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	6-TSOP
pakket / koffer:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6