SPP02N60S5HKSA1 | IR (Infineon Technologies) SPP02N60S5HKSA1 | SPP02N60S5HKSA1 Inventory, Best Pricing

SPP02N60S5HKSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	SPP02N60S5HKSA1
LIXINC Part #	SPP02N60S5HKSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 600V 1.8A TO220-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	SPP02N60S5HKSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 09 - Oct 13 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

SPP02N60S5HKSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	SPP02N60S5HKSA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolMOS™
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	600 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	1.8A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	3Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 80µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	9.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	240 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	25W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	PG-TO220-3-1
pakket / koffer:	TO-220-3