RJK1002DPN-E0#T2 | Renesas Electronics America RJK1002DPN-E0#T2 | RJK1002DPN-E0#T2 Inventory, Best Pricing

RJK1002DPN-E0#T2

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	RJK1002DPN-E0#T2
LIXINC Part #	RJK1002DPN-E0#T2
Fabrikant	Renesas Electronics America
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 70A TO220AB
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	RJK1002DPN-E0#T2 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 07 - Oct 11 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

RJK1002DPN-E0#T2 Specificaties

Onderdeel nummer:	RJK1002DPN-E0#T2
Merk:	Renesas Electronics America
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Renesas Electronics America
serie:	-
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	100 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	70A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	7.6mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
poortlading (qg) (max) @ vgs:	94 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	6450 pF @ 10 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	150W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	TO-220AB
pakket / koffer:	TO-220-3