NP82N055PUG-E1-AY | Renesas Electronics America NP82N055PUG-E1-AY | NP82N055PUG-E1-AY Inventory, Best Pricing

NP82N055PUG-E1-AY

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	NP82N055PUG-E1-AY
LIXINC Part #	NP82N055PUG-E1-AY
Fabrikant	Renesas Electronics America
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 55V 82A TO263
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	NP82N055PUG-E1-AY PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Jul 03 - Jul 07 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

NP82N055PUG-E1-AY Specificaties

Onderdeel nummer:	NP82N055PUG-E1-AY
Merk:	Renesas Electronics America
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Renesas Electronics America
serie:	-
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	55 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	82A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	5.2mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	160 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	9600 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	1.8W (Ta), 143W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	175°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	TO-263
pakket / koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB