FDN5618P_G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDN5618P_G

FDN5618P_G

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	FDN5618P_G
LIXINC Part #	FDN5618P_G
Fabrikant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	FDN5618P_G PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 26 - Sep 30 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

FDN5618P_G Specificaties

Onderdeel nummer:	FDN5618P_G
Merk:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	PowerTrench®
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	60 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	1.25A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	170mOhm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	13.8 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	430 pF @ 30 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	500mW (Ta)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	SuperSOT-3
pakket / koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3