IRF6898MTR1PBF | IR (Infineon Technologies) IRF6898MTR1PBF | IRF6898MTR1PBF Inventory, Best Pricing

IRF6898MTR1PBF

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IRF6898MTR1PBF
LIXINC Part #	IRF6898MTR1PBF
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IRF6898MTR1PBF PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 26 - Sep 30 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IRF6898MTR1PBF Specificaties

Onderdeel nummer:	IRF6898MTR1PBF
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	25 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	35A (Ta), 213A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	1.1mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 100µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	62 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±16V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	5435 pF @ 13 V
fet-functie:	Schottky Diode (Body)
vermogensdissipatie (max):	2.1W (Ta), 78W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	DIRECTFET™ MX
pakket / koffer:	DirectFET™ Isometric MX