IPD60R650CEATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD60R650CEATMA1 | IPD60R650CEATMA1 Inventory, Best Pricing

IPD60R650CEATMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IPD60R650CEATMA1
LIXINC Part #	IPD60R650CEATMA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IPD60R650CEATMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Jul 09 - Jul 13 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IPD60R650CEATMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	IPD60R650CEATMA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolMOS™ CE
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	600 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	7A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	650mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 200µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	20.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	440 pF @ 100 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	63W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	TO-252-3
pakket / koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63