PHD23NQ10T,118 | NXP Semiconductors PHD23NQ10T,118 | PHD23NQ10T,118 Inventory, Best Pricing

PHD23NQ10T,118

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	PHD23NQ10T,118
LIXINC Part #	PHD23NQ10T,118
Fabrikant	NXP Semiconductors
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	PHD23NQ10T,118 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

PHD23NQ10T,118 Specificaties

Onderdeel nummer:	PHD23NQ10T,118
Merk:	NXP Semiconductors
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	NXP Semiconductors
serie:	TrenchMOS™
pakket:	Tape & Reel (TR)
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	100 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	23A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	70mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	1187 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	100W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	DPAK
pakket / koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63