ISP25DP06NMXTSA1 | IR (Infineon Technologies) ISP25DP06NMXTSA1 | ISP25DP06NMXTSA1 Inventory, Best Pricing

ISP25DP06NMXTSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	ISP25DP06NMXTSA1
LIXINC Part #	ISP25DP06NMXTSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	ISP25DP06NMXTSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Jun 29 - Jul 03 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

ISP25DP06NMXTSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	ISP25DP06NMXTSA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pakket:	Tape & Reel (TR)
onderdeel staat:	Active
fet type:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	60 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	1.9A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	250mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 270µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	10.8 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	420 pF @ 30 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PG-SOT223-4
pakket / koffer:	TO-261-4, TO-261AA