IPW65R029CFD7XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPW65R029CFD7XKSA1 | IPW65R029CFD7XKSA1 Inventory, Best Pricing

IPW65R029CFD7XKSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IPW65R029CFD7XKSA1
LIXINC Part #	IPW65R029CFD7XKSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IPW65R029CFD7XKSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IPW65R029CFD7XKSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	IPW65R029CFD7XKSA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolMOS™
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	650 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	69A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	-
rds op (max) @ id, vgs:	29mOhm @ 35.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 1.79mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	145 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	7149 pF @ 400 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	305W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	PG-TO247-3
pakket / koffer:	TO-247-3