IRFB59N10DPBF | Rochester Electronics IRFB59N10DPBF | IRFB59N10DPBF Inventory, Best Pricing

IRFB59N10DPBF

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IRFB59N10DPBF
LIXINC Part #	IRFB59N10DPBF
Fabrikant	Rochester Electronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	SMPS HEXFET POWER MOSFET
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IRFB59N10DPBF PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IRFB59N10DPBF Specificaties

Onderdeel nummer:	IRFB59N10DPBF
Merk:	Rochester Electronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Rochester Electronics
serie:	HEXFET®
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	100 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	59A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 35.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	114 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	2.45 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	3.8W (Ta), 200W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	TO-220AB
pakket / koffer:	TO-220-3