BSO130P03SHXUMA1 | IR (Infineon Technologies) BSO130P03SHXUMA1 | BSO130P03SHXUMA1 Inventory, Best Pricing

BSO130P03SHXUMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	BSO130P03SHXUMA1
LIXINC Part #	BSO130P03SHXUMA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	BSO130P03SHXUMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 06 - Oct 10 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

BSO130P03SHXUMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	BSO130P03SHXUMA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	30 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	9.2A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	13mOhm @ 11.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 140µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	81 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	3520 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	1.56W (Ta)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	P-DSO-8
pakket / koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)