IPB120N06S4H1ATMA2 | IR (Infineon Technologies) IPB120N06S4H1ATMA2 | IPB120N06S4H1ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPB120N06S4H1ATMA2

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IPB120N06S4H1ATMA2
LIXINC Part #	IPB120N06S4H1ATMA2
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IPB120N06S4H1ATMA2 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Jul 07 - Jul 11 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IPB120N06S4H1ATMA2 Specificaties

Onderdeel nummer:	IPB120N06S4H1ATMA2
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	60 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	120A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 200µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	270 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	21900 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	250W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PG-TO263-3-2
pakket / koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB