FDG315N | Rochester Electronics FDG315N | FDG315N Inventory, Best Pricing

FDG315N

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	FDG315N
LIXINC Part #	FDG315N
Fabrikant	Rochester Electronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	FDG315N PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 09 - Oct 13 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

FDG315N Specificaties

Onderdeel nummer:	FDG315N
Merk:	Rochester Electronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Rochester Electronics
serie:	PowerTrench®
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	30 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	2A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	4 nC @ 5 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	220 pF @ 15 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	750mW (Ta)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	SC-88 (SC-70-6)
pakket / koffer:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363