RM4N650IP | Rectron USA RM4N650IP | RM4N650IP Inventory, Best Pricing

RM4N650IP

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	RM4N650IP
LIXINC Part #	RM4N650IP
Fabrikant	Rectron USA
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	RM4N650IP PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 09 - Oct 13 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

RM4N650IP Specificaties

Onderdeel nummer:	RM4N650IP
Merk:	Rectron USA
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Rectron USA
serie:	-
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	650 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	4A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±30V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	280 pF @ 50 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	46W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	TO-251
pakket / koffer:	TO-251-3 Stub Leads, IPak