IPI076N12N3GAKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPI076N12N3GAKSA1 | IPI076N12N3GAKSA1 Inventory, Best Pricing

IPI076N12N3GAKSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IPI076N12N3GAKSA1
LIXINC Part #	IPI076N12N3GAKSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IPI076N12N3GAKSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 08 - Oct 12 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IPI076N12N3GAKSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	IPI076N12N3GAKSA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	120 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	100A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	7.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 130µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	101 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	6640 pF @ 60 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	188W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	PG-TO262-3
pakket / koffer:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA