IMBF170R450M1XTMA1 | IR (Infineon Technologies) IMBF170R450M1XTMA1 | IMBF170R450M1XTMA1 Inventory, Best Pricing

IMBF170R450M1XTMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IMBF170R450M1XTMA1
LIXINC Part #	IMBF170R450M1XTMA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IMBF170R450M1XTMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Jul 08 - Jul 12 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IMBF170R450M1XTMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	IMBF170R450M1XTMA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolSiC™
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	1700 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	9.8A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	12V, 15V
rds op (max) @ id, vgs:	450mOhm @ 2A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	5.7V @ 2.5mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 12 V
vgs (max):	+20V, -10V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	610 pF @ 1000 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	107W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PG-TO263-7
pakket / koffer:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA