NVMFS5C645NLWFT1G | Rochester Electronics NVMFS5C645NLWFT1G | NVMFS5C645NLWFT1G Inventory, Best Pricing

NVMFS5C645NLWFT1G

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	NVMFS5C645NLWFT1G
LIXINC Part #	NVMFS5C645NLWFT1G
Fabrikant	Rochester Electronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	NVMFS5C645NLWFT1G PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 19 - Oct 23 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

NVMFS5C645NLWFT1G Specificaties

Onderdeel nummer:	NVMFS5C645NLWFT1G
Merk:	Rochester Electronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Rochester Electronics
serie:	Automotive, AEC-Q101
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	60 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	22A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	34 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	2.2 pF @ 50 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	79W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount, Wettable Flank
apparaatpakket leverancier:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
pakket / koffer:	8-PowerTDFN, 5 Leads