IMW65R027M1HXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IMW65R027M1HXKSA1 | IMW65R027M1HXKSA1 Inventory, Best Pricing

IMW65R027M1HXKSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IMW65R027M1HXKSA1
LIXINC Part #	IMW65R027M1HXKSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IMW65R027M1HXKSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 28 - Oct 02 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IMW65R027M1HXKSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	IMW65R027M1HXKSA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	-
technologie:	-
afvoer naar bronspanning (vdss):	-
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	47A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	-
rds op (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
poortlading (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	-
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	-
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	-
bedrijfstemperatuur:	-
Montage type:	-
apparaatpakket leverancier:	-
pakket / koffer:	-