NDD03N60Z-1G | Rochester Electronics NDD03N60Z-1G | NDD03N60Z-1G Inventory, Best Pricing

NDD03N60Z-1G

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	NDD03N60Z-1G
LIXINC Part #	NDD03N60Z-1G
Fabrikant	Rochester Electronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	NDD03N60Z-1G PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 27 - Oct 01 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

NDD03N60Z-1G Specificaties

Onderdeel nummer:	NDD03N60Z-1G
Merk:	Rochester Electronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Rochester Electronics
serie:	-
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	600 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	2.6A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	3.6Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 50µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	312 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	61W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	I-PAK
pakket / koffer:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA