IPSA70R1K4CEAKMA1 | IR (Infineon Technologies) IPSA70R1K4CEAKMA1 | IPSA70R1K4CEAKMA1 Inventory, Best Pricing

IPSA70R1K4CEAKMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IPSA70R1K4CEAKMA1
LIXINC Part #	IPSA70R1K4CEAKMA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IPSA70R1K4CEAKMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 24 - Sep 28 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IPSA70R1K4CEAKMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	IPSA70R1K4CEAKMA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	700 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	5.4A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 100µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	10.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	225 pF @ 100 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	53W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	PG-TO251-3
pakket / koffer:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA