G3R350MT12D | GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D | G3R350MT12D Inventory, Best Pricing

G3R350MT12D

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	G3R350MT12D
LIXINC Part #	G3R350MT12D
Fabrikant	GeneSiC Semiconductor
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	G3R350MT12D PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

G3R350MT12D Specificaties

Onderdeel nummer:	G3R350MT12D
Merk:	GeneSiC Semiconductor
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	GeneSiC Semiconductor
serie:	G3R™
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	1200 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	11A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	15V
rds op (max) @ id, vgs:	420mOhm @ 4A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	2.69V @ 2mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 15 V
vgs (max):	±15V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	334 pF @ 800 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	74W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	TO-247-3
pakket / koffer:	TO-247-3