IRFD123PBF | Vishay / Siliconix IRFD123PBF | IRFD123PBF Inventory, Best Pricing

IRFD123PBF

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IRFD123PBF
LIXINC Part #	IRFD123PBF
Fabrikant	Vishay / Siliconix
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IRFD123PBF PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IRFD123PBF Specificaties

Onderdeel nummer:	IRFD123PBF
Merk:	Vishay / Siliconix
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Vishay / Siliconix
serie:	-
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	100 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	1.3A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	270mOhm @ 780mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	16 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	360 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	1.3W (Ta)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
pakket / koffer:	4-DIP (0.300", 7.62mm)