XPH4R10ANB,L1XHQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation XPH4R10ANB,L1XHQ

XPH4R10ANB,L1XHQ

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	XPH4R10ANB,L1XHQ
LIXINC Part #	XPH4R10ANB,L1XHQ
Fabrikant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	XPH4R10ANB,L1XHQ PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

XPH4R10ANB,L1XHQ Specificaties

Onderdeel nummer:	XPH4R10ANB,L1XHQ
Merk:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSVIII-H
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	100 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	70A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	6V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	4.1mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 1mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	75 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	4970 pF @ 10 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	960mW (Ta), 170W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	175°C
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	8-SOP Advance (5x5)
pakket / koffer:	8-SOIC (0.197", 5.00mm Width)