IPB60R099C7ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB60R099C7ATMA1 | IPB60R099C7ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB60R099C7ATMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IPB60R099C7ATMA1
LIXINC Part #	IPB60R099C7ATMA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IPB60R099C7ATMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 28 - Oct 02 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IPB60R099C7ATMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	IPB60R099C7ATMA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolMOS™ C7
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	650 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	22A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	99mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 490µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	42 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	1819 pF @ 400 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	110W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PG-TO263-3
pakket / koffer:	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA