ISS55EP06LMXTSA1 | IR (Infineon Technologies) ISS55EP06LMXTSA1 | ISS55EP06LMXTSA1 Inventory, Best Pricing

ISS55EP06LMXTSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	ISS55EP06LMXTSA1
LIXINC Part #	ISS55EP06LMXTSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	ISS55EP06LMXTSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 27 - Oct 01 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

ISS55EP06LMXTSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	ISS55EP06LMXTSA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	60 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	180mA (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	5.5Ohm @ 180mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 11µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	590 pC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	18 pF @ 30 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	400mW (Ta)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PG-SOT23-3-5
pakket / koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3