ISP650P06NMXTSA1 | IR (Infineon Technologies) ISP650P06NMXTSA1 | ISP650P06NMXTSA1 Inventory, Best Pricing

ISP650P06NMXTSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	ISP650P06NMXTSA1
LIXINC Part #	ISP650P06NMXTSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	ISP650P06NMXTSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 11 - Sep 15 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

ISP650P06NMXTSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	ISP650P06NMXTSA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	60 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	3.7A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1.037mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	39 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	1600 pF @ 30 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PG-SOT223-4
pakket / koffer:	TO-261-4, TO-261AA