TK32E12N1,S1X | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK32E12N1,S1X

TK32E12N1,S1X

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	TK32E12N1,S1X
LIXINC Part #	TK32E12N1,S1X
Fabrikant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	TK32E12N1,S1X PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Jul 03 - Jul 07 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

TK32E12N1,S1X Specificaties

Onderdeel nummer:	TK32E12N1,S1X
Merk:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSVIII-H
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	120 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	60A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	13.8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 500µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	34 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	2000 pF @ 60 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	98W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	TO-220
pakket / koffer:	TO-220-3