FDB045AN08A0-F085 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDB045AN08A0-F085 | FDB045AN08A0-F085 Inventory, Best Pricing

FDB045AN08A0-F085

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	FDB045AN08A0-F085
LIXINC Part #	FDB045AN08A0-F085
Fabrikant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	FDB045AN08A0-F085 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 07 - Oct 11 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

FDB045AN08A0-F085 Specificaties

Onderdeel nummer:	FDB045AN08A0-F085
Merk:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	75 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	19A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	6V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	138 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	6600 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	310W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	TO-263AB
pakket / koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB