NP82N04NDG-S18-AY | Rochester Electronics NP82N04NDG-S18-AY | NP82N04NDG-S18-AY Inventory, Best Pricing

NP82N04NDG-S18-AY

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	NP82N04NDG-S18-AY
LIXINC Part #	NP82N04NDG-S18-AY
Fabrikant	Rochester Electronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 40V 82A 3LDPAK
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	NP82N04NDG-S18-AY PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

NP82N04NDG-S18-AY Specificaties

Onderdeel nummer:	NP82N04NDG-S18-AY
Merk:	Rochester Electronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Rochester Electronics
serie:	Automotive, AEC-Q101
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	40 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	82A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	-
rds op (max) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	150 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	9000 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	1.8W (Ta), 143W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	175°C
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	3-LDPAK
pakket / koffer:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA