IPWS65R050CFD7AXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPWS65R050CFD7AXKSA1 | IPWS65R050CFD7AXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPWS65R050CFD7AXKSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IPWS65R050CFD7AXKSA1
LIXINC Part #	IPWS65R050CFD7AXKSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IPWS65R050CFD7AXKSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IPWS65R050CFD7AXKSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	IPWS65R050CFD7AXKSA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	650 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	45A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	50mOhm @ 24.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 1.24mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	102 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	4975 pF @ 400 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	227W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	PG-TO247-3-41
pakket / koffer:	TO-247-3