BSC159N10LSFGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC159N10LSFGATMA1 | BSC159N10LSFGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC159N10LSFGATMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	BSC159N10LSFGATMA1
LIXINC Part #	BSC159N10LSFGATMA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	BSC159N10LSFGATMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Jul 08 - Jul 12 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

BSC159N10LSFGATMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	BSC159N10LSFGATMA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Not For New Designs
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	100 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	9.4A (Ta), 63A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	15.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 72µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	35 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	2500 pF @ 50 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	114W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PG-TDSON-8-1
pakket / koffer:	8-PowerTDFN