IPP60R1K4C6XKSA1 | Rochester Electronics IPP60R1K4C6XKSA1 | IPP60R1K4C6XKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP60R1K4C6XKSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IPP60R1K4C6XKSA1
LIXINC Part #	IPP60R1K4C6XKSA1
Fabrikant	Rochester Electronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IPP60R1K4C6XKSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Jul 04 - Jul 08 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IPP60R1K4C6XKSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	IPP60R1K4C6XKSA1
Merk:	Rochester Electronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Rochester Electronics
serie:	CoolMOS™
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	600 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	3.2A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 90µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	1.1 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	200 pF @ 100 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	28.4W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	PG-TO220-3
pakket / koffer:	TO-220-3