RD3G07BATTL1 | ROHM Semiconductor RD3G07BATTL1 | RD3G07BATTL1 Inventory, Best Pricing

RD3G07BATTL1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	RD3G07BATTL1
LIXINC Part #	RD3G07BATTL1
Fabrikant	ROHM Semiconductor
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	RD3G07BATTL1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 25 - Sep 29 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

RD3G07BATTL1 Specificaties

Onderdeel nummer:	RD3G07BATTL1
Merk:	ROHM Semiconductor
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	ROHM Semiconductor
serie:	-
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	40 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	70A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	7.1mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	105 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	5550 pF @ 20 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	101W (Ta)
bedrijfstemperatuur:	150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	TO-252
pakket / koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63