IPD80R1K0CEBTMA1 | Rochester Electronics IPD80R1K0CEBTMA1 | IPD80R1K0CEBTMA1 Inventory, Best Pricing

IPD80R1K0CEBTMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IPD80R1K0CEBTMA1
LIXINC Part #	IPD80R1K0CEBTMA1
Fabrikant	Rochester Electronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IPD80R1K0CEBTMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 25 - Sep 29 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IPD80R1K0CEBTMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	IPD80R1K0CEBTMA1
Merk:	Rochester Electronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Rochester Electronics
serie:	CoolMOS™
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	800 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	5.7A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	950mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.9V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	31 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	785 pF @ 100 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	83W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	TO-252-3
pakket / koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63