BSB028N06NN3GXUMA1 | IR (Infineon Technologies) BSB028N06NN3GXUMA1 | BSB028N06NN3GXUMA1 Inventory, Best Pricing

BSB028N06NN3GXUMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	BSB028N06NN3GXUMA1
LIXINC Part #	BSB028N06NN3GXUMA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	BSB028N06NN3GXUMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

BSB028N06NN3GXUMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	BSB028N06NN3GXUMA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	60 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	22A (Ta), 90A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	2.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 102µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	143 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	12000 pF @ 30 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	2.2W (Ta), 78W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	MG-WDSON-2, CanPAK M™
pakket / koffer:	3-WDSON